| 容积 | 击球得分径 | 击球得分高度 | |
|---|---|---|---|
| Ave. | 0.022nL | 64μm | 12μm |
| 3σ | 0.009nL | 4.5μm | 2.0μm |
Ag半熔融环膏体
击球得分涂布&薄膜形成
概要
Ag半熔融环膏体具有高的导热性和导电性，是供汽车使用从更加高速是抗热，并且在接合劣化强大的事情的功率半导体的钻石接触以及hitoshinkuatatchi，并且录用是展开了的功能性素材。
现在像面形地根据芯片以及组件的尺寸涂Ag半熔融环膏体的一般。但是，对以功率半导体的用来随着高性能化提高導電、放热特性的关节形状的最佳化以及热阻减低为目的稀薄的要求要求更高。
武藏工程针对这样的需要开发使不被限制为矩形的多种多样的形状设计成为可能的Ag半熔融环膏体的非接触微小性dottingu涂布技术了。
Ag半熔融环膏体非接触微小性dottingu
在这种技术，正实现最小φ64μm的微小的点形成。能灵活运用于对或半导体封装上的微小部位的涂敷在导电性和导热性被要的基板上。
Ag半熔融环膏体19µm薄膜形成
根据这种技术，正实现厚度19μm的薄膜形成。而且，可以L字型的或局形状把关节形状的灵活性根据出自dottingu的形状形成提高到的薄膜形成。
- 涂布方法：连续涂布
- 平均膜厚：19µm
OTHER CASES
其他案例
因为彻底使银浆的吐出性配合其用途结构以及条件最佳化所以实现了涂布直径31μm，涂布量5pL。
从基板经由芯片侧面，能在芯片外表的接通部敷设導電膏体。
在从Type5到Type8的sorudapesuto，实现了超过100万打击的连续安定的涂布。
实际上涂了在最小150μm控制来自芯片端面的浸湿扩大的底部充填(UF)液。
在芯片间隙之间的100µm，平局50µm这个极为窄的条件进行底部充填(UF)涂敷了。
