不在KOZ150μm之上的底部充填(UF)液涂布技术
概要
在倒装芯片实装的1次底部充填(UF)，组件实装的2次底部充填(UF)的哪一方面，高密度实装随着产品的小型化加速。在，随着这个，存在底部充填(UF)液不可以粘的接近区域的时候压住来自芯片端面的浸湿扩大，能涂稳定的"狭KOZ(Keep Out Zone)对应技术"的重要性要求更高。
武藏工程针对这项课题开发实现在KOZ 150μm以下的底部充填(UF)液涂布技术了。
在最小150μm抑制浸湿扩大的底部充填(UF)液涂布
实际上涂了抑制来自芯片端面的浸湿扩大的底部充填(UF)液。能确认来自端面的浸湿扩大被用始自于外表的观察150μm抑制。
OTHER CASES
其他案例
因为彻底使银浆的吐出性配合其用途结构以及条件最佳化所以实现了涂布直径31μm，涂布量5pL。
从基板经由芯片侧面，能在芯片外表的接通部敷设導電膏体。
在从Type5到Type8的sorudapesuto，实现了超过100万打击的连续安定的涂布。
根据这种技术，正实现最小φ64μm的微小的点形成，厚度19μm的薄膜形成。
在芯片间隙之间的100µm，平局50µm这个极为窄的条件进行底部充填(UF)涂敷了。
